与3D架构图 聚集4M技能路线0年DRASK海力士立异发布未来3

在2025年IEEE VLSI研讨会上，海力SK海力士初次披露了未来30年的年D能路DRAM技能发展蓝图 ，提出经过笔直栅极结构（4F² VG）和3D堆叠技能打破制程瓶颈 。技聚集D架首席技能官Cha Seon Yong指出
 ，线图跟着传统平面架构迫临物理极限
，构立公司计划在10nm以下节点选用4F² VG渠道 ，海力该技能经过笔直布局单元面积缩减至传统结构的年D能路四分之一 ，结合混合键合工艺 ，技聚集D架可完成更高密度与能效。线图

针对3D DRAM本钱争议 ，构立Cha Seon Yong着重技能创新将平衡层数添加带来的海力经济性应战。此次路线图凸显了SK海力士在内存技能可继续演进中的年D能路前瞻布局
 ，为职业应对摩尔定律放缓供给了新思路 。技聚集D架

【与3D架构图 聚集4M技能路线0年DRASK海力士立异发布未来3】相关文章：

1.香百年露脸IAEIS 2025世界轿车电子工业峰会

2.河北软件工作技术学院造访飞凌嵌入式，一起讨论产教交融新模式

3.广成科技Profinet转换器的使用场景

4.上海海思越影S610 AOV解决方案从头界说智能安防使用规范

5.钒液擎光，绿电织梦 ！全球最大全钒电池光储项目正式并网发电